生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

PLAD-2

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

PLAD

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

N

12.2 V

15 kW

-

-

822 A

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

1

0.077603 oz

PLAD

15000 W

Uni-Directional

Surface Mount

11 V

Bulk

PLAD15

厂商

Microchip Technology

Active

PLASTIC PACKAGE-1

SMALL OUTLINE

PLASTIC/EPOXY

NOT SPECIFIED

No

MAPLAD15KP11A

2.5 W

SQUARE

1

Active

MICROSEMI CORP

5.58

Military grade

系列

MA

包装

Bulk

操作温度

-55 to 150 °C

JESD-609代码

e0

无铅代码

No

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

TIN LEAD

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

General Purpose

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

SINGLE

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

S-PSSO-G1

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

11 V

工作电压

11 V

极性

Unidirectional

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

电源线保护

No

电压 - 击穿

12.2V

功率 - 脉冲峰值

15000W (15kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

822A

最大反向漏电电流

10 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

18.2V

箝位电压

18.2 V

电压 - 反向断态（典型值）

11V

峰值脉冲电流

822 A

峰值脉冲功率

15 kW

方向

Unidirectional

测试电流

5 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

11 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

15000 W

ESD保护

Yes

单向通道数

1

击穿电压-最小值

12.2 V

击穿电压-最大值

13.5 V

最小击穿电压

12.2 V

Vf-正向电压

2 V