![MAP6KE82CA](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
T-18, Axial
安装类型
Through Hole
表面安装
NO
供应商器件包装
T-18
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
Microchip Technology
Active
Bulk
P6KE82
T-18
600 W
Bi-Directional
Through Hole
7.79 V
+ 150 C
- 65 C
50 A
600 W
PLASTIC, T-18, 2 PIN
LONG FORM
PLASTIC/EPOXY
Active
MICROSEMI CORP
5.5
1
Microsemi Corporation
ROUND
5 W
MAP6KE8.2CA
No
NOT SPECIFIED
Military grade
系列
Military, MIL-PRF-19500
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
TIN LEAD
应用
General Purpose
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-PALF-W2
资历状况
Not Qualified
工作电压
7.02 V
极性
Bidirectional
配置
Single
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
No
电压 - 击穿
77.9V
功率 - 脉冲峰值
600W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
5.3A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
113V
箝位电压
12.1 V
电压 - 反向断态(典型值)
70.1V
测试电流
10 mA
产品类别
TVS Diodes
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
7.02 V
电容@频率
-
筛选水平
Military
最大非代表峰值转速功率Dis
600 W
ESD保护
Yes
击穿电压-最小值
7.79 V
击穿电压-最大值
8.61 V