生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

T-18, Axial

安装类型

Through Hole

底架

Through Hole

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

T-18

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

Microchip Technology

Active

Bulk

P6KE75

7.13 V

5 W

+ 150 C

0.024692 oz

- 65 C

1

5.8 A

600 W

Microchip

Microchip Technology

N

64.1 V

PLASTIC, T-18, 2 PIN

LONG FORM

1

PLASTIC/EPOXY

NOT SPECIFIED

No

MAP6KE7.5CA

5 W

ROUND

1

Active

MICROSEMI CORP

7.5 V

5.5

系列

Military, MIL-PRF-19500

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

No

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

TIN LEAD

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

General Purpose

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

64.1 V

工作电压

64.1 V

极性

Bidirectional

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

No

电压 - 击穿

71.3V

功率 - 脉冲峰值

600W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

5.8A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

103V

箝位电压

11.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

64.1V

峰值脉冲电流

5.8 A

峰值脉冲功率

600 W

方向

Bidirectional

测试电流

1 mA

产品类别

TVS Diodes

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

6.4 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

600 W

击穿电压-最小值

7.13 V

双向通道数

1

最大箝位电压

11.3 V

击穿电压-最大值

7.88 V

最小击穿电压

71.3 V

Vf-正向电压

3.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes