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MAP6KE62CAE3

型号:

MAP6KE62CAE3

封装:

T-18, Axial

描述:

TVS DIODE 53VWM 85VC T18

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 包装/外壳

    T-18, Axial

  • 安装类型

    Through Hole

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    T-18

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Active

  • Bulk

  • 厂商

    Microchip Technology

  • P6KE62

  • O-PALF-W2

  • LONG FORM

  • PLASTIC/EPOXY

  • NOT SPECIFIED

  • Yes

  • MAP6KE62CAE3

  • 5 W

  • ROUND

  • Microsemi Corporation

  • 1

  • Active

  • MICROSEMI CORP

  • 5.5

  • 58.9 V

  • + 150 C

  • - 65 C

  • 7.1 A

  • 600 W

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C (TJ)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 端子表面处理

    MATTE TIN

  • 应用

    General Purpose

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 技术

    AVALANCHE

  • 端子位置

    AXIAL

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    2

  • 终端样式

    Axial

  • JESD-30代码

    O-PALF-W2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 工作电压

    53 V

  • 极性

    BIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 通道数量

    1 Channel

  • 二极管类型

    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 电源线保护

    No

  • 电压 - 击穿

    58.9V

  • 功率 - 脉冲峰值

    600W

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    7.1A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    85V

  • 箝位电压

    85 V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    53V

  • 产品类别

    TVS Diodes

  • 双向通道

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    53 V

  • 电容@频率

    -

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    600 W

  • 击穿电压-最小值

    58.9 V

  • 击穿电压-最大值

    65.1 V

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