规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
T-18-2
安装类型
Through Hole
表面安装
NO
供应商器件包装
T-18
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Details
37.1 V
600 W
11.2 A
- 65 C
+ 150 C
5 W
1
0.024692 oz
Bulk
P6KE39
厂商
Microchip Technology
Active
O-PALF-W2
LONG FORM
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
MAP6KE39AE3
5 W
ROUND
1
Active
MICROSEMI CORP
5.48
系列
P6KE
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
应用
General Purpose
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-PALF-W2
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
33.3 V
工作电压
33.3 V
极性
Unidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
No
电压 - 击穿
37.1V
功率 - 脉冲峰值
600W
峰值脉冲电流（10/1000μs）
11.2A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）
53.9V
箝位电压
53.9 V
电压 - 反向断态（典型值）
33.3V
单向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
33.3 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
600 W
击穿电压-最小值
37.1 V
击穿电压-最大值
41 V
Vf-正向电压
3.5 V