![MAP4KE200AE3](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
DO-2024-2
安装类型
Through Hole
表面安装
NO
供应商器件包装
DO-204AL (DO-41)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Details
190 V
400 W
1.5 A
- 65 C
+ 150 C
2.5 W
1
Bulk
P4KE200
厂商
Microchip Technology
Active
O-PALF-W2
LONG FORM
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
MAP4KE200AE3
1.13 W
ROUND
1
Active
MICROSEMI CORP
5.57
DO-41
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
应用
General Purpose
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-PALF-W2
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
171 V
工作电压
171 V
极性
Unidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
No
电压 - 击穿
190V
功率 - 脉冲峰值
400W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
1.5A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
274V
箝位电压
274 V
电压 - 反向断态(典型值)
171V
单向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
171 V
JEDEC-95代码
DO-204AL
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
400 W
击穿电压-最小值
190 V
击穿电压-最大值
210 V
Vf-正向电压
3.5 V