![MALCE75A](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
DO-201AA, DO-27, Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
CASE-1
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Active
Bulk
厂商
Microchip Technology
LCE75
100 pF
8.33 V
1.52 W
+ 150 C
0.052911 oz
- 65 C
1
100 A
1.5 kW
Microchip
Microchip Technology
N
PLASTIC, CASE 1, 2 PIN
LONG FORM
1
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
No
MALCE75A
5 W
ROUND
1
Active
MICROSEMI CORP
87.7 V
5.59
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
TIN LEAD
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-PALF-W2
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
7.5 V
工作电压
7.5 V
极性
Unidirectional
配置
SINGLE
通道数量
1 Channel
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
No
电压 - 击穿
83.3V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
12.4A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
121V
箝位电压
12.9 V
电压 - 反向断态(典型值)
75V
单向通道
1
产品类别
TVS Diodes
Rep Pk反向电压-最大值
75 V
电容@频率
90pF @ 1MHz
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
击穿电压-最小值
83.3 V
最大箝位电压
121 V
击穿电压-最大值
92.1 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes