安装类型

Through Hole

包装/外壳

P600, Axial

底架

Through Hole

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

P600

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

Microchip Technology

Tape & Reel (TR)

Active

1

Microchip

Microchip Technology

70 V

1

Compliant

R-PALF-W2

LONG FORM

1

PLASTIC/EPOXY

NOT SPECIFIED

Yes

M5KP70AE3/TR

1.56 W

RECTANGULAR

Active

MICROSEMI CORP

81.9 V

5.28

系列

5KP

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tape and Reel

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

MATTE TIN

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

General Purpose

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

R-PALF-W2

资历状况

Not Qualified

极性

Unidirectional

配置

SINGLE

泄漏电流

10 µA

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

No

电压 - 击穿

77.8V

功率 - 脉冲峰值

5000W (5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

44.2A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

113V

箝位电压

113 V

电压 - 反向断态（典型值）

70V

峰值脉冲电流

44 A

峰值脉冲功率

5 kW

测试电流

5 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

70 V

JEDEC-95代码

DO-204AR

电容@频率

-

反向击穿电压

77.8 V

最大非代表峰值转速功率Dis

5000 W

击穿电压-最小值

77.8 V

最大箝位电压

113 V

击穿电压-最大值

86 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes