
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 1 month ago)
包装/外壳
DO-204AR, Axial
安装类型
Through Hole
底架
Through Hole
表面安装
NO
引脚数
2
供应商器件包装
DO-204AR
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
Microchip Technology
Active
Bulk
5KP60
60 V
1
Compliant
-
0.049384 oz
1
Microchip
Microchip Technology
-
R-PALF-W2
LONG FORM
1
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
M5KP60AE3
1.56 W
RECTANGULAR
Active
MICROSEMI CORP
70.2 V
5.43
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
MATTE TIN
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Zener
应用
General Purpose
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL-19500
终端样式
Axial
JESD-30代码
R-PALF-W2
资历状况
Not Qualified
极性
Unidirectional
配置
SINGLE
泄漏电流
10 µA
元素配置
Single
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
No
电压 - 击穿
66.7V
功率 - 脉冲峰值
5000W (5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
52A
最大反向漏电电流
10 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
96.8V
箝位电压
96.8 V
电压 - 反向断态(典型值)
60V
峰值脉冲电流
52 A
峰值脉冲功率
5 kW
方向
Unidirectional
测试电流
5 mA
单向通道
1
产品类别
TVS Diodes
Rep Pk反向电压-最大值
60 V
JEDEC-95代码
DO-204AR
电容@频率
-
反向击穿电压
66.7 V
最大非代表峰值转速功率Dis
5000 W
单向通道数
1
击穿电压-最小值
66.7 V
最大箝位电压
96.8 V
击穿电压-最大值
73.7 V
最小击穿电压
6.67 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes