生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-201AA, DO-27, Axial

安装类型

Through Hole

底架

Through Hole

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

CASE-1

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

厂商

Microchip Technology

1.5KE7.5

Bulk

Active

6.4 V

1

Compliant

71.3 V

1.52 W

+ 150 C

0.042329 oz

- 65 C

1

14.6 A

1.5 kW

Microchip

Microchip Technology

O-PALF-W2

LONG FORM

PLASTIC/EPOXY

CASE 1

NOT SPECIFIED

No

M1.5KE75A

1.52 W

ROUND

Active

MICROSEMI CORP

5.56

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

No

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

TIN LEAD

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

General Purpose

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

Not Qualified

工作电源电压

64.1 V

工作电压

64.1 V

极性

Unidirectional

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

泄漏电流

1 µA

元素配置

Single

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

No

电压 - 击穿

7.13V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

132A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

11.3V

箝位电压

11.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

6.4V

峰值脉冲电流

14.6 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

Unidirectional

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS Diodes

Rep Pk反向电压-最大值

64.1 V

电容@频率

-

反向击穿电压

71.3 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

单向通道数

1

击穿电压-最小值

71.3 V

击穿电压-最大值

78.8 V

最小击穿电压

7.13 V

Vf-正向电压

3.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes