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JANTXV1N6165

型号:

JANTXV1N6165

封装:

Axial

描述:

TVS DIODE 69.2VWM 131.36VC AXIAL

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 安装类型

    Through Hole

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    C, Axial

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • 1N6165

  • Active

  • Bulk

  • 厂商

    Microchip Technology

  • 0.044798 oz

  • 1

  • Microchip

  • Microchip / Microsemi

  • N

  • HERMETIC SEALED PACKAGE-2

  • LONG FORM

  • UNSPECIFIED

  • -65 °C

  • 175 °C

  • JANTXV1N6165

  • 7.5 W

  • ROUND

  • 1

  • Active

  • SEMTECH CORP

  • 91 V

  • 5.4

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500/516

  • 包装

    Bulk

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 应用

    General Purpose

  • 附加功能

    LOW IMPEDANCE

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 子类别

    TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

  • 技术

    ZENER

  • 端子位置

    AXIAL

  • 终端形式

    WIRE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • 参考标准

    MIL-19500/516

  • JESD-30代码

    O-XALF-W2

  • 资历状况

    Qualified

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 电源线保护

    No

  • 电压 - 击穿

    82.18V

  • 功率 - 脉冲峰值

    1500W (1.5kW)

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    11.4A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    131.36V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    69.2V

  • 产品类别

    TVS Diodes

  • 双向通道

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    69.2 V

  • 电容@频率

    -

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    1500 W

  • 反向电流-最大值

    5 µA

  • 击穿电压-最小值

    81.9 V

  • 最大箝位电压

    131.355 V

  • 产品类别

    ESD Suppressors / TVS Diodes

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