![JANTXV1N6165](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
Axial
安装类型
Through Hole
表面安装
NO
供应商器件包装
C, Axial
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
1N6165
Active
Bulk
厂商
Microchip Technology
0.044798 oz
1
Microchip
Microchip / Microsemi
N
HERMETIC SEALED PACKAGE-2
LONG FORM
UNSPECIFIED
-65 °C
175 °C
JANTXV1N6165
7.5 W
ROUND
1
Active
SEMTECH CORP
91 V
5.4
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/516
包装
Bulk
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
General Purpose
附加功能
LOW IMPEDANCE
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/516
JESD-30代码
O-XALF-W2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
No
电压 - 击穿
82.18V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
11.4A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
131.36V
电压 - 反向断态(典型值)
69.2V
产品类别
TVS Diodes
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
69.2 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
反向电流-最大值
5 µA
击穿电压-最小值
81.9 V
最大箝位电压
131.355 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes