![JANTXV1N6129US](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
SQ-MELF, B
安装类型
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
SQ-MELF, B
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
Microchip Technology
Active
Bulk
1N6129
1
Microchip
Microchip / Microsemi
N
O-XELF-N2
LONG FORM
UNSPECIFIED
NOT SPECIFIED
JANTXV1N6129US
1.5 W
ROUND
1
Active
SEMTECH CORP
91 V
5.36
系列
Military, MIL-PRF-19500/516
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
General Purpose
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/516
JESD-30代码
O-XELF-N2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
No
电压 - 击穿
86.5V
功率 - 脉冲峰值
500W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
4A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
125.1V
电压 - 反向断态(典型值)
69.2V
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
69.2 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
500 W
击穿电压-最小值
81.9 V
最大箝位电压
125.1 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes