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JANTXV1N6122US

型号:

JANTXV1N6122US

封装:

SQ-MELF, B

描述:

TVS DIODE 35.8VWM 64.6VC SQ-MELF

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SQ-MELF, B

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    B, SQ-MELF

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • 厂商

    Microchip Technology

  • Bulk

  • Active

  • 44.7 V

  • 2 W

  • + 175 C

  • - 55 C

  • 1

  • 7.7 A

  • 500 W

  • Microchip

  • Microchip / Microsemi

  • N

  • O-XELF-N2

  • LONG FORM

  • UNSPECIFIED

  • JANTXV1N6122US

  • 1.5 W

  • ROUND

  • 1

  • Active

  • SEMTECH CORP

  • 47 V

  • 5.35

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500/516

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 包装

    Bulk

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 应用

    General Purpose

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 子类别

    TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

  • 技术

    ZENER

  • 端子位置

    END

  • 终端形式

    NO LEAD

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    1 uA

  • 引脚数量

    2

  • 参考标准

    MIL-19500/516

  • 终端样式

    SMD/SMT

  • JESD-30代码

    O-XELF-N2

  • 资历状况

    Qualified

  • 工作电压

    35.8 V

  • 极性

    Bidirectional

  • 配置

    SINGLE

  • 通道数量

    1 Channel

  • 二极管类型

    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 电源线保护

    No

  • 电压 - 击穿

    44.7V

  • 功率 - 脉冲峰值

    500W

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    7.7A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    64.6V

  • 箝位电压

    64.6 V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    35.8V

  • 产品类别

    TVS Diodes

  • 双向通道

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    35.8 V

  • 电容@频率

    -

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    500 W

  • 击穿电压-最小值

    42.3 V

  • 最大箝位电压

    67.8 V

  • 产品类别

    ESD Suppressors / TVS Diodes

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