![JANTX1N6126US](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
SQ-MELF, B
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
2
供应商器件包装
B, SQ-MELF
厂商
Microchip Technology
Active
Bulk
1N6126
-
0.019013 oz
1
Microchip
Microchip / Microsemi
N
-
51.7 V
系列
Military, MIL-PRF-19500/516
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Bulk
类型
Zener
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
应用
General Purpose
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
元素配置
Single
电源线保护
No
电压 - 击穿
61.37V
功率 - 脉冲峰值
500W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
4.85A
最大反向漏电电流
1 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
101.96V
箝位电压
97.1 V
电压 - 反向断态(典型值)
51.7V
峰值脉冲电流
5.1 A
峰值脉冲功率
500 W
方向
Bidirectional
测试电流
20 mA
产品类别
TVS Diodes
双向通道
1
电容@频率
-
最小击穿电压
64.6 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
辐射硬化
No