![JAN1N5643A](https://res.utmel.com/Images/category/Circuit Protection.png)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
Through Hole
包装/外壳
DO-13
底架
Through Hole
引脚数
2
供应商器件包装
DO-13 (DO-202AA)
厂商
Microchip Technology
Bulk
Active
1
1.5 kW
Microchip
Microchip / Microsemi
N
23.1 V
JAN1N5643A
Active
SENSITRON SEMICONDUCTOR
5.79
系列
Military, MIL-PRF-19500/500
操作温度
-65°C ~ 175°C (TA)
包装
Bulk
类型
Zener
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
应用
General Purpose
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Reach合规守则
compliant
资历状况
Qualified
元素配置
Single
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
电源线保护
No
电压 - 击穿
25.7V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
40A
最大反向漏电电流
5 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
37.5V
箝位电压
37.5 V
电压 - 反向断态(典型值)
23.1V
峰值脉冲电流
40 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
方向
Unidirectional
测试电流
1 mA
单向通道
1
产品类别
TVS Diodes
电容@频率
-
最小击穿电压
25.7 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
辐射硬化
No