![AT28C010E-12DM/883](https://static.esinoelec.com/200dimg/microchiptechnology-at28c01012dm883-4491.jpg)
AT28C010E-12DM/883
32-CDIP (0.600, 15.24mm)
IC EEPROM 1M PARALLEL 32CDIP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
23 Weeks
触点镀层
Lead, Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
32-CDIP (0.600, 15.24mm)
引脚数
32
Non-Volatile
Military grade
操作温度
-55°C~125°C TC
包装
Tube
已出版
1998
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
32
ECCN 代码
3A001.A.2.C
电压 - 供电
4.5V~5.5V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
2.54mm
频率
120GHz
基本部件号
AT28C010
工作电源电压
5V
内存大小
1Mb 128K x 8
电源电流
80mA
访问时间
120ns
内存格式
EEPROM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
10ms
密度
1 Mb
筛选水平
MIL-STD-883 Class C
编程电压
5V
写入周期时间 - 最大值
10ms
长度
42.2mm
座位高度(最大)
5.72mm
宽度
15.24mm
辐射硬化
No
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsDensityAccess TimeFrequencySupply VoltageTechnologyOperating Temperature
-
AT28C010E-12DM/883
32-CDIP (0.600, 15.24mm)
32
1 Mb
120ns
120 GHz
5 V
CMOS
-55°C ~ 125°C (TC)
-
28-CDIP (0.600, 15.24mm)
28
256 kb
120ns
120 GHz
5 V
CMOS
-55°C ~ 125°C (TC)
-
32-CDIP (0.600, 15.24mm)
32
1 Mb
150ns
150 GHz
5 V
CMOS
-55°C ~ 125°C (TC)
-
28-CDIP (0.600, 15.24mm)
28
256 kb
120ns
120 GHz
5 V
CMOS
-55°C ~ 125°C (TC)
AT28C010E-12DM/883 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 零件状态更改 :
- 冲突矿产声明 :