![23K640-I/P](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-micrf022bn-3345.jpg)
23K640-I/P
8-DIP (0.300, 7.62mm)
MICROCHIP - 23K640-I/P - IC, SRAM, SERIAL, 64K, 2.7V, PDIP8
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
8
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
Not Applicable
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
2.54mm
基本部件号
23K640
引脚数量
8
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
界面
SPI, Serial
内存大小
64Kb 8K x 8
端口的数量
1
电源电流
10mA
时钟频率
20MHz
访问时间
25 ns
内存格式
SRAM
内存接口
SPI
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
1b
密度
64 kb
待机电流-最大值
0.000004A
I/O类型
SEPARATE
同步/异步
Synchronous
字长
8b
待机电压-最小值
2.7V
高度
4.953mm
长度
10.16mm
宽度
7.112mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
23K640-I/P PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :