![1N5353C/TR8](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
T-18-2
安装类型
Through Hole
底架
Through Hole
表面安装
NO
引脚数
2
供应商器件包装
T-18
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
N
Through Hole
16 V
5 W
2.5 Ohms
- 65 C
+ 150 C
1 uA
1000
-
0.038801 oz
Tape & Reel (TR)
1N5353
2.5 Ohms
厂商
Microchip Technology
Active
O-PALF-W2
LONG FORM
1
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
16 V
No
1N5353C/TR8
5 W
ROUND
1
Active
MICROSEMI CORP
5.08
包装
Reel
操作温度
-65°C ~ 150°C
系列
-
容差
±2%
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
最大功率耗散
5 W
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-PALF-W2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
Single
阻抗
2.5 Ω
元素配置
Single
二极管类型
ZENER DIODE
反向泄漏电流@ Vr
1 µA @ 11.5 V
功率耗散
1.47 W
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 1 A
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
5 W
最大反向漏电电流
1 µA
测试电流
75 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
16 V
齐纳电压
16 V
最大电压允差
2%
工作测试电流
75 mA
电压允差
2 %
齐纳电流
1 uA
辐射硬化
No