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WEDPN16M72VR-100B3I

型号:

WEDPN16M72VR-100B3I

品牌:

Microchip

封装:

-

描述:

DRAM Memory

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Surface Mount

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    219

  • Compliant

  • BGA,

  • GRID ARRAY

  • 16000000

  • PLASTIC/EPOXY

  • -40 °C

  • 6 ns

  • 85 °C

  • WEDPN16M72VR-100B3I

  • 16777216 words

  • 3.3 V

  • BGA

  • SQUARE

  • Microsemi Corporation

  • Active

  • MICROSEMI CORP

  • 5.61

  • 颜色

    White

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX; SEATED HT-CALCULATED

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B219

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3 V

  • 最大额定电流

    300 mA

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 视角

    100 °

  • 组织结构

    16MX72

  • 测试电流

    175 mA

  • 座位高度-最大

    2.64 mm

  • 内存宽度

    72

  • 正向电压

    3 V

  • 记忆密度

    1207959552 bit

  • 内存IC类型

    SYNCHRONOUS DRAM

  • 访问模式

    FOUR BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    21.1 mm

  • 长度

    21.1 mm

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