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W3E32M64S-266SBM

型号:

W3E32M64S-266SBM

品牌:

Microchip

封装:

-

描述:

DRAM Memory

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    208

  • W3E32M64S-266SBM

  • No

  • Transferred

  • MICROSEMI CORP

  • BGA

  • BGA,

  • 5.22

  • 0.75 ns

  • 33554432 words

  • 32000000

  • 125 °C

  • -55 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • BGA

  • RECTANGULAR

  • GRID ARRAY

  • 2.5 V

  • NOT SPECIFIED

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    No

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN LEAD

  • 附加功能

    AUTO REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.36

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    208

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B208

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.7 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.3 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    32MX64

  • 内存宽度

    64

  • 记忆密度

    2147483648 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 访问模式

    FOUR BANK PAGE BURST

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