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JANTXV1N827-1

型号:

JANTXV1N827-1

品牌:

Microchip

封装:

DO-35-2

描述:

Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-7

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 months ago)

  • 包装/外壳

    DO-35-2

  • 安装类型

    Through Hole

  • 底架

    Through Hole

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    2

  • 供应商器件包装

    DO-35 (DO-204AH)

  • 材料

    Thermoplastic

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Box

  • B-533

  • 厂商

    Aearo Technologies LLC, a 3M company

  • Active

  • 0.005291 oz

  • 1

  • Through Hole

  • Microchip

  • Microchip / Microsemi

  • N

  • 15 Ohms

  • O-LALF-W2

  • LONG FORM

  • GLASS

  • -55 °C

  • NOT SPECIFIED

  • 6.2 V

  • 175 °C

  • No

  • JANTXV1N827-1

  • 0.5 W

  • ROUND

  • 1

  • Active

  • MICROSEMI CORP

  • 1.65

  • DO-7

  • 系列

    VersaDamp™ V-2000

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C

  • 容差

    ±5%

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    No

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 子类别

    Diodes & Rectifiers

  • 最大功率耗散

    500 mW

  • 技术

    ZENER

  • 端子位置

    AXIAL

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    2

  • 参考标准

    MIL-19500/159M

  • 终端样式

    Axial

  • JESD-30代码

    O-LALF-W2

  • 资历状况

    Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 阻抗

    15 Ω

  • 元素配置

    Single

  • 二极管类型

    ZENER DIODE

  • 反向泄漏电流@ Vr

    2 µA @ 3 V

  • 功率耗散

    500 mW

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    500 mW

  • 测试电流

    7.5 mA

  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

    6.2 V

  • 齐纳电压

    6.2 V

  • 产品类别

    Zener Diodes

  • 最大电压允差

    5%

  • JEDEC-95代码

    DO-35

  • 电压允差

    5 %

  • 螺纹/螺丝/孔的尺寸

    -

  • 产品类别

    Zener Diodes

  • 长度

    4.44 mm

  • 直径

    2.03 mm

  • 直径 - 外部

    1.265 (32.13mm)

  • 直径 - 内部

    0.750 (19.05mm)

  • 长度 - 头部以下

    0.085 (2.16mm)

  • 厚度 - 整体

    0.325 (8.26mm)

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