![JANTX1N5526DUR-1](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
Axial
安装类型
Surface Mount
供应商器件包装
Axial
0.001411 oz
1
SMD/SMT
Microchip
Microchip / Microsemi
N
Bulk
1N5526
30 Ohms
厂商
Microchip Technology
Active
操作温度
-55°C ~ 350°C
系列
G200
包装
Tape & Box (TB)
尺寸/尺寸
0.224 Dia x 0.512 L (5.70mm x 13.00mm)
容差
±5%
零件状态
Active
终止次数
2
温度系数
100/ +180ppm/°C
电阻
3.3 kOhms
组成
Wirewound
功率(瓦特)
4W
子类别
Diodes & Rectifiers
终端样式
SMD/SMT
失败率
--
反向泄漏电流@ Vr
1 µA @ 6.2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 200 mA
功率 - 最大
500 mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
6.8 V
产品类别
Zener Diodes
特征
Flame Proof, Pulse Withstanding, Safety
产品类别
Zener Diodes
座位高度(最大)
--
长度
3.7 mm
直径
1.7 mm