![JANS1N6326D](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
DO-35-2
安装类型
Through Hole
供应商器件包装
B, Axial
N
Through Hole
1
0.005291 oz
Bulk
7 Ohms
厂商
Microchip Technology
Active
包装
Tray
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/533
容差
±1%
终端样式
Axial
反向泄漏电流@ Vr
1 µA @ 9 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4 V @ 1 A
功率 - 最大
500 mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
12 V
直径
2.29 mm
长度
5.08 mm