![JANS1N6311US](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SQ-MELF, B
底架
Surface Mount
引脚数
2
供应商器件包装
B, SQ-MELF
Bulk
1N6311
29 Ohms
厂商
Microchip Technology
Active
30 uA
29 Ohms
30 uA
0.5 W
+ 175 C
0.003333 oz
- 65 C
1
SMD/SMT
Microchip
Microchip / Microsemi
3 V
N
- 0.075 %/C
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-19500/533
包装
Waffle
容差
±5%
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
500 mW
配置
Single
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
30 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4 V @ 1 A
功率 - 最大
500 mW
最大反向漏电电流
30 µA
测试电流
20 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
3 V
齐纳电压
3 V
产品类别
Zener Diodes
电压允差
5 %
齐纳电流
141 mA
Vf-正向电压
1.4 V
产品类别
Zener Diodes
宽度
2.16 mm
高度
2.16 mm
长度
4.95 mm
辐射硬化
No