你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

JAN1N6104AUS

型号:

JAN1N6104AUS

品牌:

Microchip

封装:

SQ-MELF, B

描述:

Diode TVS Single Bi-Dir 6.2V 500W 2-Pin E-MELF

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SQ-MELF, B

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    B, SQ-MELF

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Miscellaneous

  • E-MELF

  • 500 W

  • Bi-Directional

  • Surface Mount

  • Bulk

  • 1N6104

  • 厂商

    Microchip Technology

  • Active

  • HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

  • LONG FORM

  • UNSPECIFIED

  • JAN1N6104AUS

  • 1.5 W

  • ROUND

  • 1

  • Active

  • SEMTECH CORP

  • 8.2 V

  • 5.36

  • -

  • -

  • Military grade

  • 操作温度

    -55 to 175 °C

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500/516

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 应用

    General Purpose

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 子类别

    Transient Suppressors

  • 技术

    ZENER

  • 端子位置

    END

  • 终端形式

    NO LEAD

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • 参考标准

    MIL-19500/516

  • JESD-30代码

    O-XELF-N2

  • 资历状况

    Qualified

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    Single

  • 二极管类型

    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 电源线保护

    No

  • 电压 - 击穿

    7.79V

  • 功率 - 脉冲峰值

    500W

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    41.3A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    12.1V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    6.2V

  • 测试电流

    150 mA

  • 产品类别

    TVS Diodes

  • 双向通道

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    6.2 V

  • 电容@频率

    -

  • 筛选水平

    Military

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    500 W

  • ESD保护

    Yes

  • 击穿电压-最小值

    7.79 V

  • 最大箝位电压

    12.1 V

0 类似产品