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JAN1N5416US

型号:

JAN1N5416US

品牌:

Microchip

封装:

B, Axial

描述:

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    B, Axial

  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Bulk

  • 1N5416

  • 厂商

    Microchip Technology

  • Active

  • SMD/SMT

  • E-LELF-R2

  • LONG FORM

  • GLASS

  • NOT SPECIFIED

  • 175 °C

  • No

  • JAN1N5416US

  • ELLIPTICAL

  • Sensitron Semiconductors

  • 1

  • Active

  • SENSITRON SEMICONDUCTOR

  • 1.5 V

  • 5.28

  • MELF

  • 系列

    Military, MIL-PRF-19500/411

  • 无铅代码

    No

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 应用

    GENERAL PURPOSE

  • 附加功能

    METALLURGICALLY BONDED

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 子类别

    Rectifier Diodes

  • 端子位置

    END

  • 终端形式

    WRAP AROUND

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    2

  • 参考标准

    MIL-19500

  • JESD-30代码

    E-LELF-R2

  • 资历状况

    Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    1 µA @ 100 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.5 V @ 9 A

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 工作温度 - 结点

    -65°C ~ 175°C

  • 输出电流-最大值

    3 A

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    100 V

  • 平均整流电流(Io)

    3A

  • 相位的数量

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    100 V

  • 电容@Vr, F

    -

  • 最大非代表Pk前进电流

    80 A

  • 反向恢复时间-最大值

    0.15 µs

  • 反向恢复时间(trr)

    150 ns

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