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HSM1100G/TR13

型号:

HSM1100G/TR13

品牌:

Microchip

封装:

DO-215AA, SMB Gull Wing

描述:

Diode Schottky 100V 1A 2-Pin DO-215AA T/R

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 months ago)

  • 表面安装

    YES

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    DO-215AA, SMB Gull Wing

  • 底架

    Surface Mount

  • 引脚数

    2

  • 供应商器件包装

    DO-215AA

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • HSM1100G/TR13

  • Yes

  • Active

  • MICROSEMI CORP

  • DO-215AA

  • R-PDSO-G2

  • 5.28

  • 1

  • PLASTIC/EPOXY

  • RECTANGULAR

  • SMALL OUTLINE

  • 40

  • Tape & Reel (TR)

  • HSM1100

  • 厂商

    Microchip Technology

  • Active

  • Compliant

  • 系列

    -

  • 包装

    Tape & Reel

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    MATTE TIN

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • HTS代码

    8541.10.00.80

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE

  • 元素配置

    Single

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    RECTIFIER DIODE

  • 反向泄漏电流@ Vr

    100 µA @ 100 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    840 mV @ 1 A

  • 正向电流

    1 A

  • 工作温度 - 结点

    -55°C ~ 175°C

  • 输出电流-最大值

    1 A

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    100 V

  • 平均整流电流(Io)

    1A

  • 最大反向电压(DC)

    100 V

  • 平均整流电流

    1 A

  • 峰值反向电流

    100 µA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    100 V

  • Rep Pk反向电压-最大值

    100 V

  • JEDEC-95代码

    DO-215AA

  • 电容@Vr, F

    -

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    40 A

  • 辐射硬化

    No

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