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APTC90DSK12T1G

型号:

APTC90DSK12T1G

品牌:

Microchip

封装:

CSON

描述:

Trans MOSFET N-CH 900V 30A 12-Pin Case SP1

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 包装/外壳

    CSON

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    1

  • 终端数量

    10

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 5(mm)

  • -40C to 85C

  • No

  • 2

  • Compliant

  • 400 ns

  • RECTANGULAR

  • Microsemi Corporation

  • Obsolete

  • MICROSEMI CORP

  • 5.84

  • 30 A

  • APTC90DSK12T1G

  • Yes

  • 150 °C

  • NOT SPECIFIED

  • UNSPECIFIED

  • FLANGE MOUNT

  • FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10

  • Industrial grade

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

  • 子类别

    FET General Purpose Power

  • 最大功率耗散

    250 W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    12

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X10

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    250 W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 接通延迟时间

    70 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    20 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    900 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    30 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    30 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.12 Ω

  • 筛选水平

    INDUSTRIALC

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    75 A

  • 输入电容

    6.8 nF

  • DS 击穿电压-最小值

    900 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1940 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    250 W

  • 最大rds

    120 mΩ

  • 产品长度(mm)

    7(mm)

  • 产品高度(mm)

    1.4(mm)

  • 辐射硬化

    No

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