规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
CSON
底架
Chassis Mount, Screw
表面安装
NO
引脚数
1
终端数量
10
晶体管元件材料
SILICON
5(mm)
-40C to 85C
No
2
Compliant
400 ns
RECTANGULAR
Microsemi Corporation
Obsolete
MICROSEMI CORP
5.84
30 A
APTC90DSK12T1G
Yes
150 °C
NOT SPECIFIED
UNSPECIFIED
FLANGE MOUNT
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
Industrial grade
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
子类别
FET General Purpose Power
最大功率耗散
250 W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
12
JESD-30代码
R-XUFM-X10
资历状况
Not Qualified
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
250 W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
70 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
20 ns
漏源电压 (Vdss)
900 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
30 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
30 A
漏极-源极导通最大电阻
0.12 Ω
筛选水平
INDUSTRIALC
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
75 A
输入电容
6.8 nF
DS 击穿电压-最小值
900 V
雪崩能量等级（Eas）
1940 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
250 W
最大rds
120 mΩ
产品长度(mm)
7(mm)
产品高度(mm)
1.4(mm)
辐射硬化
No