![1N5913BUR-1](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DO-213AB, MELF
底架
Surface Mount
引脚数
2
供应商器件包装
DO-213AB
Bulk
1N5913
10 Ohms
厂商
Microchip Technology
Active
100 uA
10 Ohms
100 uA
1.25 W
+ 175 C
0.001764 oz
- 65 C
1
SMD/SMT
Microchip
Microchip Technology
3.3 V
N
-
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
-
包装
Bulk
容差
±5%
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
1.25 W
配置
Single
阻抗
10 Ω
元素配置
Single
反向泄漏电流@ Vr
100 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
功率 - 最大
1.25 W
最大反向漏电电流
100 µA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
3.3 V
齐纳电压
3.3 V
产品类别
Zener Diodes
电压允差
5 %
齐纳电流
100 uA
Vf-正向电压
1.2 V
产品类别
Zener Diodes
宽度
-
高度
-
长度
4.06 mm
直径
2.16 mm
辐射硬化
Yes