![1N3311RA](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
Chassis, Stud Mount
包装/外壳
DO-203AB, DO-5, Stud
底架
Chassis, Stud
表面安装
NO
引脚数
2
供应商器件包装
DO-5
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Bulk
1N3311
1 Ohms
厂商
Microchip Technology
Active
1
Microchip
Microchip Technology
N
HERMETIC SEALED, METAL, DO-5, 1 PIN
POST/STUD MOUNT
METAL
NOT SPECIFIED
12 V
No
1N3311RA
50 W
ROUND
1
Active
MICROSEMI CORP
5.41
DO-5
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
-
包装
Tray
容差
±10%
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
附加功能
LOW IMPEDANCE
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
最大功率耗散
50 W
技术
ZENER
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
引脚数量
1
JESD-30代码
O-MUPM-D1
资历状况
Not Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
阻抗
1 Ω
元素配置
Single
二极管类型
ZENER DIODE
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 9.1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 10 A
箱体转运
CATHODE
功率 - 最大
50 W
最大反向漏电电流
10 µA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
12 V
齐纳电压
12 V
产品类别
Zener Diodes
最大电压允差
10%
JEDEC-95代码
DO-203AB
工作测试电流
1000 mA
产品类别
Zener Diodes
辐射硬化
Yes