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DS1245AB-120IND+
32-DIP Module (0.600, 15.24mm)
IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
Through Hole
包装/外壳
32-DIP Module (0.600, 15.24mm)
表面安装
NO
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
32
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
MATTE TIN
HTS代码
8473.30.11.40
电压 - 供电
4.75V~5.25V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
2.54mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
DS1245AB
引脚数量
32
JESD-30代码
R-XDMA-T32
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
5.25V
电源
5V
电源电压-最小值(Vsup)
4.75V
内存大小
1Mb 128K x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
120ns
待机电流-最大值
0.0006A
记忆密度
1048576 bit
访问时间(最大)
120 ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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ROHS3 Compliant
8
Parallel
32
DUAL
-
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Non-Volatile
5 V
ROHS3 Compliant
8
Parallel
32
DUAL
-
32-DIP (0.600, 15.24mm)
Volatile
3 V
ROHS3 Compliant
8
Parallel
32
DUAL
DS1245AB-120IND+ PDF数据手册
- 数据表 :
- 应用笔记 :