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DS1245AB-120IND+

型号:

DS1245AB-120IND+

封装:

32-DIP Module (0.600, 15.24mm)

数据表:

DS1245Y, AB

描述:

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    32-DIP Module (0.600, 15.24mm)

  • 表面安装

    NO

  • Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    32

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 端子表面处理

    MATTE TIN

  • HTS代码

    8473.30.11.40

  • 电压 - 供电

    4.75V~5.25V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    5V

  • 端子间距

    2.54mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    DS1245AB

  • 引脚数量

    32

  • JESD-30代码

    R-XDMA-T32

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.25V

  • 电源

    5V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.75V

  • 内存大小

    1Mb 128K x 8

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 内存格式

    NVSRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    128KX8

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    120ns

  • 待机电流-最大值

    0.0006A

  • 记忆密度

    1048576 bit

  • 访问时间(最大)

    120 ns

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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