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MG12150S-BN2MM

型号:

MG12150S-BN2MM

封装:

S-3 Module

数据表:

MG12150S-BN2MM

描述:

IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    Chassis Mount

  • 安装类型

    Chassis Mount

  • 包装/外壳

    S-3 Module

  • 引脚数

    7

  • 质量

    160.000002g

  • 1.2kV

  • 操作温度

    -40°C~125°C TJ

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    625W

  • 极性

    NPN

  • 配置

    Half Bridge

  • 元素配置

    Dual

  • 功率 - 最大

    625W

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.7V

  • 最大集电极电流

    200A

  • 最大集极截止电流

    1mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 输入电容

    10.5nF

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.7V @ 15V, 150A (Typ)

  • IGBT类型

    Trench Field Stop

  • NTC热敏电阻

    No

  • 输入电容(Cies)@Vce

    10.5nF @ 25V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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