表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Non-Compliant

IXGH30N60

IXYS

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

300 ns

1100 ns

150 °C

RECTANGULAR

1

Obsolete

IXYS CORP

200 ns

5.64

子类别

Insulated Gate BIP Transistors

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

Not Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

POWER CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AD

最大耗散功率(Abs)

200 W

集电极电流-最大值(IC)

50 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

30 V

VCEsat-最大值

2.5 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5 V

环境耗散-最大值

200 W

最大下降时间 (tf)

2000 ns