![IS66WVE4M16TBLL-70BLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv51216ebll45bli-9305.jpg)
IS66WVE4M16TBLL-70BLI
48-TFBGA
PSRAM Async 64M-Bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
64Mb 4M x 16
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
PSRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
地址总线宽度
22b
密度
64 Mb
访问时间(最大)
70 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2.7V
输出启用
NO
反向引脚排列
NO
长度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthRoHS StatusNumber of TerminationsVoltage - Supply
-
IS66WVE4M16TBLL-70BLI
48-TFBGA
48
Volatile
64 Mb
22 b
ROHS3 Compliant
48
2.7V ~ 3.6V
-
48-TFBGA
48
Non-Volatile
64 Mb
22 b
ROHS3 Compliant
48
2.7V ~ 3.6V
-
48-TFBGA
48
Non-Volatile
64 Mb
22 b
ROHS3 Compliant
48
2.7V ~ 3.6V
-
48-TFBGA
48
Non-Volatile
64 Mb
22 b
ROHS3 Compliant
48
2.7V ~ 3.6V
-
48-TFBGA
48
Non-Volatile
64 Mb
22 b
ROHS3 Compliant
48
2.7V ~ 3.6V