![IS66WVE4M16ALL-70BLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv51216bll10mli-8060.jpg)
IS66WVE4M16ALL-70BLI
48-TFBGA
PSRAM Async 1 64M-Bit 4M x 16 70ns 48-Pin FBGA
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.75mm
工作电源电压
1.8V
内存大小
64Mb 4M x 16
端口的数量
1
内存格式
PSRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
地址总线宽度
22b
密度
64 Mb
访问时间(最大)
70 ns
I/O类型
COMMON
长度
8mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)Number of Ports
-
IS66WVE4M16ALL-70BLI
48-TFBGA
48
Volatile
64 Mb
22 b
1.8 V
3 (168 Hours)
1
-
54-TFBGA
54
Volatile
64 Mb
14 b
3.3 V
3 (168 Hours)
1
-
54-TFBGA
54
Volatile
64 Mb
14 b
3.3 V
3 (168 Hours)
1
-
54-TFBGA
54
Volatile
64 Mb
14 b
3.3 V
3 (168 Hours)
1
IS66WVE4M16ALL-70BLI PDF数据手册
- 数据表 :