![IS63LV1024L-12JL](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61c1024al12jli-8693.jpg)
IS63LV1024L-12JL
32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
IC, SRAM, 1MBIT, 12NS, SOJ-32
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
引脚数
32
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Last Time Buy
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
32
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
3.3V
引脚数量
32
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
1Mb 128K x 8
端口的数量
1
电源电流
130mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
地址总线宽度
17b
密度
1 Mb
最高频率
83MHz
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
待机电压-最小值
2V
高度
2.67mm
长度
21.08mm
宽度
7.75mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthSupply VoltageOperating Supply VoltageRadiation Hardening
-
IS63LV1024L-12JL
32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
32
Volatile
1 Mb
17 b
3.3 V
3.3 V
No
-
-
32
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
1 Mb
17 b
3.3 V
3.3 V
No
-
-
32
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
1 Mb
17 b
3.3 V
3.3 V
No
-
SOIC
32
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
1 Mb
17 b
3.3 V
3.3 V
No
-
32-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
32
Volatile
1 Mb
17 b
-
3.3 V
No
IS63LV1024L-12JL PDF数据手册
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