![IS62WV5128BLL-55T2I](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128bll55t2li-8764.jpg)
IS62WV5128BLL-55T2I
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
32
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
2.5V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
2.8V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
3/3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
2.5V
内存大小
4Mb 512K x 8
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
待机电流-最大值
0.000015A
记忆密度
4194304 bit
访问时间(最大)
55 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
1.2V
长度
20.95mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
10.16mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IS62WV5128BLL-55T2I PDF数据手册
- 数据表 :