![IS62WV51216EBLL-45TLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv51216bll10tli-8068.jpg)
IS62WV51216EBLL-45TLI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
电压 - 供电
2.2V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PDSO-G44
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.2V
内存大小
8Mb 512K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
记忆密度
8388608 bit
访问时间(最大)
45 ns
长度
18.41mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
10.16mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseMemory TypeSupply VoltageRoHS StatusFactory Lead TimeMemory FormatOperating TemperatureTechnology
-
IS62WV51216EBLL-45TLI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Volatile
3.3 V
ROHS3 Compliant
8 Weeks
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Volatile
3.3 V
ROHS3 Compliant
8 Weeks
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Volatile
5 V
ROHS3 Compliant
8 Weeks
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
Volatile
3.3 V
ROHS3 Compliant
8 Weeks
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous
-
32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
Volatile
3.3 V
ROHS3 Compliant
8 Weeks
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
SRAM - Asynchronous