![IS61WV6416EEBLL-10TLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv51216bll10tli-8068.jpg)
IS61WV6416EEBLL-10TLI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
1Mb, High-Speed/Low Power, Async with ECC, 64K x 16, 2.4V-3.6V (10ns), 44 Pin TSOP II, Leadfree
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
引脚数
44
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
电压 - 供电
2.4V~3.6V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.8mm
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
2.5/3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
2.4V
内存大小
1Mb 64K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
待机电流-最大值
0.004A
记忆密度
1048576 bit
访问时间(最大)
10 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2V
长度
18.41mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
10.16mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeSupply VoltageWrite Cycle Time - Word, PageTerminal PitchMemory FormatOperating Temperature
-
IS61WV6416EEBLL-10TLI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
3 V
10ns
0.8 mm
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
3.3 V
10ns
0.8 mm
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
3.3 V
10ns
0.8 mm
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
3.3 V
10ns
0.8 mm
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
3.3 V
10ns
0.8 mm
SRAM
-40°C ~ 85°C (TA)