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IS61WV25616EDBLL-10BLI
48-TFBGA
4Mb, High-Speed/Low Power, Async, 256K x 16, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
端子表面处理
MATTE TIN
电压 - 供电
2.4V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
2.5/3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
2.4V
内存大小
4Mb 256K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
待机电流-最大值
0.006A
记忆密度
16777216 bit
访问时间(最大)
10 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2V
长度
8mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeSupply VoltageRoHS StatusTechnologyNumber of TerminationsMemory Format
-
IS61WV25616EDBLL-10BLI
48-TFBGA
48
Volatile
3 V
ROHS3 Compliant
SRAM - Asynchronous
48
SRAM
-
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SRAM - Asynchronous
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3 V
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SRAM - Asynchronous
48
SRAM
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48
Volatile
3 V
ROHS3 Compliant
SRAM - Asynchronous
48
SRAM
-
48-TFBGA
48
Volatile
3.3 V
ROHS3 Compliant
SRAM - Asynchronous
48
SRAM