![IS61WV12816DBLL-10TLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv51216bll10tli-8068.jpg)
IS61WV12816DBLL-10TLI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-bit 128K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
引脚数
44
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
44
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
2.5/3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
2.4V
内存大小
2Mb 128K x 16
端口的数量
1
电源电流
65mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
17b
密度
2 Mb
待机电流-最大值
0.00007A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
待机电压-最小值
2V
高度
1.05mm
长度
18.54mm
宽度
10.29mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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IS61WV12816DBLL-10TLI
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
2 Mb
17 b
3.3 V
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-
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Volatile
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17 b
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44
Volatile
2 Mb
17 b
3.3 V
10ns
0.8 mm
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44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
2 Mb
17 b
3.3 V
10ns
0.8 mm
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
2 Mb
18 b
3.3 V
10ns
0.8 mm
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- 数据表 :