![IS61QDB21M18A-250M3L](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61ddb21m18c250m3l-4661.jpg)
IS61QDB21M18A-250M3L
165-LBGA
SRAM 18Mb 1Mx18 250Mhz QUAD Sync SRAM
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
165-LBGA
表面安装
YES
引脚数
165
Volatile
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
附加功能
PIPELINED ARCHITECTURE
电压 - 供电
1.71V~1.89V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
165
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.89V
电源电压-最小值(Vsup)
1.71V
内存大小
18Mb 1M x 18
端口的数量
2
电源电流
950mA
时钟频率
250MHz
访问时间
450 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
地址总线宽度
19b
密度
18 Mb
I/O类型
SEPARATE
同步/异步
Synchronous
字长
18b
待机电压-最小值
1.7V
长度
17mm
座位高度(最大)
1.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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IS61QDB21M18A-250M3L
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Volatile
18 Mb
19 b
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