![IS61NLP25636A-200TQLI-TR](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lp6432a133tqli-8914.jpg)
IS61NLP25636A-200TQLI-TR
100-LQFP
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
100-LQFP
表面安装
YES
引脚数
100
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
100
电压 - 供电
3.135V~3.465V
端子位置
QUAD
端子间距
0.635mm
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
3.3V
内存大小
9Mb 256K x 36
端口的数量
4
电源电流
280mA
时钟频率
200MHz
访问时间
3.1ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
地址总线宽度
18b
密度
9 Mb
待机电流-最大值
0.05A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeOperating Supply Voltage
-
IS61NLP25636A-200TQLI-TR
100-LQFP
100
Volatile
9 Mb
18 b
3.1ns
3.3 V
-
100-LQFP
100
Volatile
9 Mb
18 b
3ns
3.3 V
-
100-LQFP
100
Volatile
9 Mb
18 b
3.1ns
3.3 V
-
100-LQFP
100
Volatile
9 Mb
18 b
3.1ns
3.3 V
-
100-LQFP
100
Volatile
9 Mb
18 b
3.1ns
3.3 V