![IS61NLP25636A-200B3I](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61nlp51236b200b3li-2671.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
165-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
165
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Last Time Buy
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
165
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
PIPELINED ARCHITECTURE
电压 - 供电
3.135V~3.465V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1mm
引脚数量
165
工作电源电压
3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
3.135V
内存大小
9Mb 256K x 36
端口的数量
4
时钟频率
200MHz
访问时间
3.1ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
地址总线宽度
18b
密度
9 Mb
待机电流-最大值
0.05A
I/O类型
COMMON
长度
15mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
No
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageRadiation Hardening
-
IS61NLP25636A-200B3I
165-TFBGA
165
Volatile
9 Mb
18 b
3.1ns
3.3 V
No
-
FBGA
165
RAM, SDR, SRAM
4.5 Mb
17 b
7.5 ns
3.3 V
No
IS61NLP25636A-200B3I PDF数据手册
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