![IS61NLF51236-7.5TQLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lp6432a133tqli-8914.jpg)
IS61NLF51236-7.5TQLI
100-LQFP
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 7.5ns 100-Pin TQFP
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
100-LQFP
表面安装
YES
引脚数
100
Volatile
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
电压 - 供电
3.135V~3.465V
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
100
工作电源电压
3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
3.135V
内存大小
18Mb 512K x 36
端口的数量
4
电源电流
475mA
时钟频率
117MHz
访问时间
7.5ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
地址总线宽度
19b
密度
18 Mb
待机电流-最大值
0.075A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
长度
20mm
座位高度(最大)
1.6mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageOperating Supply Voltage
-
IS61NLF51236-7.5TQLI
100-LQFP
100
Volatile
18 Mb
19 b
7.5ns
3.3 V
3.3 V
-
100-LQFP
100
Volatile
18 Mb
19 b
6.5ns
3.3 V
3.3 V
-
100-LQFP
100
Volatile
18 Mb
19 b
8.5ns
3.3 V
3.3 V
-
100-LQFP
100
Volatile
18 Mb
20 b
7.5ns
3.3 V
3.3 V
-
100-LQFP
100
Volatile
18 Mb
19 b
7.5ns
-
3.3 V