![IS61LV6416-10TL](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv51216bll10tli-8068.jpg)
IS61LV6416-10TL
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
引脚数
44
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
3.135V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
44
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.63V
电源
3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
3.135V
内存大小
1Mb 64K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
待机电流-最大值
0.005A
记忆密度
1048576 bit
访问时间(最大)
10 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
3.14V
长度
18.415mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
10.16mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeSupply VoltagePart StatusTerminal PitchWord SizeDensity
-
IS61LV6416-10TL
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
3.3 V
Active
0.8 mm
-
-
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
3.3 V
Active
0.8 mm
16 b
1 Mb
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
3.3 V
Active
0.8 mm
16 b
1 Mb
-
TSOP
44
RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
3.3 V
Active
0.8 mm
16 b
1 Mb
-
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
44
Volatile
-
Active
-
16 b
1 Mb