![IS61LP6432A-133TQ](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lp6432a133tqli-8914.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
100-LQFP
表面安装
YES
引脚数
100
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
100
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
PIPELINED ARCHITECTURE
电压 - 供电
3.135V~3.6V
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
100
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.465V
内存大小
2Mb 64K x 32
端口的数量
1
电源电流
180mA
时钟频率
133MHz
访问时间
4ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64KX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
地址总线宽度
16b
密度
2 Mb
待机电流-最大值
0.035A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
32b
长度
20mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageOperating Supply Voltage
-
IS61LP6432A-133TQ
100-LQFP
100
Volatile
2 Mb
16 b
4ns
3.3 V
3.3 V
-
100-LQFP
100
Volatile
2 Mb
16 b
4ns
3.3 V
3.3 V
-
100-LQFP
100
Volatile
2 Mb
16 b
4ns
3.3 V
3.3 V
-
100-LQFP
100
Volatile
2 Mb
16 b
3.1ns
3.3 V
3.3 V
-
TQFP
100
RAM, SRAM
2 Mb
16 b
5 ns
3.3 V
3.3 V