![IS43TR16128BL-125KBLI](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43tr16128bl15hbl-8867.jpg)
IS43TR16128BL-125KBLI
96-TFBGA
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin TWBGA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
96-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
96
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Tray
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
96
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.283V~1.45V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.35V
端子间距
0.8mm
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.45V
电源
1.35V
电源电压-最小值(Vsup)
1.283V
内存大小
2Gb 128M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
800MHz
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.014A
记忆密度
2147483648 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeAccess TimeSupply VoltageMoisture Sensitivity Level (MSL)Memory FormatVoltage - Supply
-
IS43TR16128BL-125KBLI
96-TFBGA
96
Volatile
20ns
1.35 V
3 (168 Hours)
DRAM
1.283V ~ 1.45V
-
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