![IS43TR16128AL-125KBL](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43tr16128bl15hbl-8867.jpg)
IS43TR16128AL-125KBL
96-TFBGA
DRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 SDRAM
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
96-TFBGA
引脚数
96
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
96
附加功能
PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.283V~1.45V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.35V
端子间距
0.8mm
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
1.35V
电源电压-最大值(Vsup)
1.45V
电源电压-最小值(Vsup)
1.283V
内存大小
2Gb 128M x 16
端口的数量
1
电源电流
155mA
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
128MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
17b
密度
2 Gb
待机电流-最大值
0.02A
最高频率
800MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsMemory TypeDensityAddress Bus WidthAccess TimeSupply VoltageRoHS Status
-
IS43TR16128AL-125KBL
96-TFBGA
96
Volatile
2 Gb
17 b
20ns
1.35 V
ROHS3 Compliant
-
119-BGA
119
Volatile
3 Mb
17 b
-
3.3 V
ROHS3 Compliant
-
119-BGA
119
Volatile
3 Mb
17 b
-
3.3 V
ROHS3 Compliant
-
90-LFBGA
90
Volatile
2 Gb
14 b
5ns
1.8 V
ROHS3 Compliant
-
119-BGA
119
Volatile
3 Mb
17 b
-
3.3 V
ROHS3 Compliant
IS43TR16128AL-125KBL PDF数据手册
- 数据表 :