![IS43R83200D-6TL](https://static.esinoelec.com/200dimg/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43r16160f6tli-8742.jpg)
IS43R83200D-6TL
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
DRAM 256M (32Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
引脚数
66
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
66
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
电压 - 供电
2.3V~2.7V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
66
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源
2.5V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
256Mb 32M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
166MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
32MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.004A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
248
交错突发长度
248
长度
22.22mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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IS43R83200D-6TL
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